Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 8V
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,184
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,223
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,184
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,223
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 8V
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China