Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
16.27mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.46mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.3 nC @ 10 V
Aukštis
4.9mm
Serija
DMN90H2D2HCTI
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,995
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,414
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,995
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,414
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
16.27mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.46mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.3 nC @ 10 V
Aukštis
4.9mm
Serija
DMN90H2D2HCTI
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas