Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.17mm
Ilgis
4.6mm
Plotis
2.6mm
Matmenys
4.6 x 2.6 x 1.17mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
€ 3,02
€ 0,121 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 3,65
€ 0,146 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
25

€ 3,02
€ 0,121 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 3,65
€ 0,146 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-89
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.17mm
Ilgis
4.6mm
Plotis
2.6mm
Matmenys
4.6 x 2.6 x 1.17mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas