Vishay Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

RS kodas: 787-9008PGamintojas: VishayGamintojo kodas: SI4948BEY-T1-GE3
brand-logo
Žiūrėti viską MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

SOIC

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Plotis

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Ilgis

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Aukštis

1.5mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Produkto aprašymas

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
Dual P-Channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4948BEY-T1-E3
P.O.A.Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 49,88

€ 0,998 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

€ 60,35

€ 1,207 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 49,88

€ 0,998 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

€ 60,35

€ 1,207 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

kiekisVieneto kainaPer Ritė
50 - 245€ 0,998€ 4,99
250 - 495€ 0,807€ 4,03
500 - 1245€ 0,671€ 3,35
1250+€ 0,613€ 3,06

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
Dual P-Channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4948BEY-T1-E3
P.O.A.Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

SOIC

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Plotis

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Ilgis

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Aukštis

1.5mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Produkto aprašymas

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
Dual P-Channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4948BEY-T1-E3
P.O.A.Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)