Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 49,88
€ 0,998 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 60,35
€ 1,207 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

€ 49,88
€ 0,998 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 60,35
€ 1,207 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 245 | € 0,998 | € 4,99 |
250 - 495 | € 0,807 | € 4,03 |
500 - 1245 | € 0,671 | € 3,35 |
1250+ | € 0,613 | € 3,06 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas