Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
2.38mm
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
186 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
6.22mm
€ 1 573,20
€ 0,787 Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 1 903,57
€ 0,952 Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000

€ 1 573,20
€ 0,787 Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 1 903,57
€ 0,952 Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
2.38mm
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
186 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Aukštis
6.22mm