Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8DC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
900 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5mm
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm
€ 3 277,50
€ 1,092 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 3 965,78
€ 1,321 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 3 277,50
€ 1,092 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 3 965,78
€ 1,321 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8DC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
900 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5mm
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm