Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.5mm
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 68,88
€ 1,378 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 83,34
€ 1,667 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 68,88
€ 1,378 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 83,34
€ 1,667 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.5mm
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas