Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-3PN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 140,12
€ 5,605 Each (In a Tube of 25) (be PVM)
€ 169,55
€ 6,782 Each (In a Tube of 25) (su PVM)
25

€ 140,12
€ 5,605 Each (In a Tube of 25) (be PVM)
€ 169,55
€ 6,782 Each (In a Tube of 25) (su PVM)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-3PN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas