Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 30,88
€ 6,18 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 37,36
€ 7,48 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 30,88
€ 6,18 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 37,36
€ 7,48 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
5 - 9 | € 6,18 |
10+ | € 5,98 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
272 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 0 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Produkto aprašymas