Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Forward Diode Voltage
1.5V
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.6mm
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Power Dissipation
38.7 W
Pakuotės tipas
ITO-220
Ilgis
10mm
Aukštis
15mm
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Markė
Taiwan SemiconductorSandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,372
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 4,08
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 3,372
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 4,08
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Forward Diode Voltage
1.5V
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.6mm
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Power Dissipation
38.7 W
Pakuotės tipas
ITO-220
Ilgis
10mm
Aukštis
15mm
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Markė
Taiwan Semiconductor