Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.69 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
€ 34,75
€ 0,139 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 42,05
€ 0,168 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

€ 34,75
€ 0,139 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 42,05
€ 0,168 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
250

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
250 - 450 | € 0,139 | € 6,95 |
500 - 950 | € 0,13 | € 6,50 |
1000 - 2450 | € 0,123 | € 6,15 |
2500+ | € 0,116 | € 5,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.69 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas