Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 14,01
€ 2,802 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 16,95
€ 3,391 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 14,01
€ 2,802 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 16,95
€ 3,391 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas