Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
68 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
NVTFS6H850N
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
0.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
€ 18,34
€ 0,733 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 22,19
€ 0,887 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

€ 18,34
€ 0,733 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 22,19
€ 0,887 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,733 | € 18,34 |
100 - 225 | € 0,633 | € 15,82 |
250+ | € 0,547 | € 13,68 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
68 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
NVTFS6H850N
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
0.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V