Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Source Gate On-Capacitance
5pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Ilgis
3.04mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 22,04
€ 0,22 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 26,67
€ 0,266 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 22,04
€ 0,22 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 26,67
€ 0,266 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,22 | € 2,20 |
250 - 490 | € 0,191 | € 1,91 |
500 - 990 | € 0,167 | € 1,67 |
1000+ | € 0,152 | € 1,52 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Source Gate On-Capacitance
5pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Ilgis
3.04mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.