Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Plotis
9.2mm
Transistor Material
Si
Aukštis
4.5mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 12,92
€ 6,46 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 15,63
€ 7,817 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 12,92
€ 6,46 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 15,63
€ 7,817 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 6 | € 6,46 | € 12,92 |
8 - 38 | € 6,27 | € 12,54 |
40 - 198 | € 6,08 | € 12,16 |
200 - 398 | € 5,89 | € 11,78 |
400+ | € 5,795 | € 11,59 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Plotis
9.2mm
Transistor Material
Si
Aukštis
4.5mm
Produkto aprašymas