Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
1.67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.6 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 171,00
€ 0,057 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 206,91
€ 0,069 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 171,00
€ 0,057 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 206,91
€ 0,069 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
1.67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.6 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas