Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
740 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.2mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.19mm
Aukštis
5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
€ 12,06
€ 0,603 Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 14,59
€ 0,73 Each (In a Pack of 20) (su PVM)
Standartas
20

€ 12,06
€ 0,603 Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 14,59
€ 0,73 Each (In a Pack of 20) (su PVM)
Standartas
20

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,603 | € 12,06 |
40 - 80 | € 0,572 | € 11,44 |
100+ | € 0,512 | € 10,24 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
740 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.2mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.19mm
Aukštis
5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.