Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
CoolMOS™ C6
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
16.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Produkto aprašymas
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 55,10
€ 5,51 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 66,67
€ 6,667 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 55,10
€ 5,51 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 66,67
€ 6,667 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
10 - 18 | € 5,51 | € 11,02 |
20 - 48 | € 5,13 | € 10,26 |
50 - 98 | € 4,845 | € 9,69 |
100+ | € 4,418 | € 8,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serija
CoolMOS™ C6
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
16.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Produkto aprašymas
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.