Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
890 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Panel Mount
Kilmės šalis
Hungary
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Infineon FF900R12ME7WBPSA1 Dual IGBT Module, 890 A 1200 V, Panel Mount
1

P.O.A.
Infineon FF900R12ME7WBPSA1 Dual IGBT Module, 890 A 1200 V, Panel Mount
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
890 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Panel Mount
Kilmės šalis
Hungary