Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
90 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.9 x 1.3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 28,78
€ 0,288 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 34,82
€ 0,348 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 28,78
€ 0,288 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 34,82
€ 0,348 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,288 | € 2,88 |
250 - 490 | € 0,273 | € 2,73 |
500 - 990 | € 0,257 | € 2,57 |
1000+ | € 0,245 | € 2,45 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
90 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.9 x 1.3mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas