Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
35 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 3 x 1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 285,00
€ 0,095 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 344,85
€ 0,115 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 285,00
€ 0,095 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 344,85
€ 0,115 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
35 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
6000 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 3 x 1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas