Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 9,50
€ 0,095 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 11,50
€ 0,115 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 9,50
€ 0,095 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 11,50
€ 0,115 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
580 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
8 GHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas