Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
51 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.16mm
Plotis
4.7mm
Serija
QFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
15.87mm
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
5

P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
51 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.16mm
Plotis
4.7mm
Serija
QFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
15.87mm