Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
7.67mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1 954,62
€ 0,782 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2 365,09
€ 0,946 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 1 954,62
€ 0,782 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2 365,09
€ 0,946 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
7.67mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas