Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A, 3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TSOT-26
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
140 (PChannel) mΩ, 90 (NChannel) mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V
Minimum Gate Threshold Voltage
1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V, ±20 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.7mm
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V (NChannel), 6.5 nC @ 10 V (PChannel)
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
€ 6,56
€ 0,066 Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 7,94
€ 0,08 Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100

€ 6,56
€ 0,066 Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 7,94
€ 0,08 Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A, 3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TSOT-26
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
140 (PChannel) mΩ, 90 (NChannel) mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V
Minimum Gate Threshold Voltage
1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V, ±20 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
1.7mm
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V (NChannel), 6.5 nC @ 10 V (PChannel)
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China