Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-252AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Forward Diode Voltage
-1.6V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,098
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,748
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 3,098
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,748
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 3,098 | € 15,49 |
50 - 120 | € 2,782 | € 13,91 |
125 - 245 | € 2,625 | € 13,12 |
250 - 495 | € 2,31 | € 11,55 |
500+ | € 2,152 | € 10,76 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-252AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Forward Diode Voltage
-1.6V