Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Plotis
3.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,243
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,294
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
20
€ 0,243
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,294
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
117 nC @ 10 V
Plotis
3.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas