Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
EF Series
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
123 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,47
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,989
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
€ 2,47
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,989
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
EF Series
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
123 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas