Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
112 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
860 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,434
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,525
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,434
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,525
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,434 | € 8,67 |
200 - 480 | € 0,346 | € 6,93 |
500 - 980 | € 0,261 | € 5,23 |
1000 - 1980 | € 0,217 | € 4,35 |
2000+ | € 0,195 | € 3,91 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
112 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
860 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
3.3 nC @ 2.5 V, 5.5 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas