Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
480 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.86 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Transistor Material
Si
Plotis
1.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,434
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,525
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,434
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,525
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,434 | € 4,34 |
100 - 490 | € 0,327 | € 3,27 |
500 - 990 | € 0,304 | € 3,04 |
1000 - 2490 | € 0,239 | € 2,39 |
2500+ | € 0,205 | € 2,05 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
480 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.86 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Transistor Material
Si
Plotis
1.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas