Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,78
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 4,574
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 3,78
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 4,574
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 3,78 | € 189,00 |
100 - 200 | € 3,518 | € 175,88 |
250+ | € 3,202 | € 160,12 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas