Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Aukštis
0.7mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,089
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,108
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,089
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,108
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,089 | € 267,90 |
6000 - 6000 | € 0,086 | € 256,50 |
9000+ | € 0,081 | € 242,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Aukštis
0.7mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand