Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3.0mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-346 (SC-59)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
2.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,49
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,49
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,405 | € 4,05 |
100+ | € 0,253 | € 2,53 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3.0mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-346 (SC-59)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
2.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.