Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
16.51mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,47
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,779
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,47
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,779
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,47 | € 7,35 |
25 - 45 | € 1,155 | € 5,78 |
50+ | € 1,102 | € 5,51 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
16.51mm
Produkto aprašymas