N-Channel MOSFET, 349 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18536KTTT
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
349 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Plotis
11.33mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,56
už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,73
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 5,56
už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,73
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 5,56 |
10 - 49 | € 4,83 |
50 - 249 | € 4,25 |
250 - 499 | € 3,46 |
500+ | € 3,10 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
349 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Plotis
11.33mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas