Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,575
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,906
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 1,575
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,906
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,575 | € 7,88 |
50 - 95 | € 1,26 | € 6,30 |
100 - 245 | € 0,956 | € 4,78 |
250 - 495 | € 0,898 | € 4,49 |
500+ | € 0,84 | € 4,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas