Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
0.64mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.01 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.04mm
Aukštis
0.35mm
Serija
FemtoFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,34
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,411
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
20
€ 0,34
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,411
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,34 | € 6,80 |
40 - 80 | € 0,218 | € 4,37 |
100 - 480 | € 0,12 | € 2,39 |
500 - 980 | € 0,105 | € 2,11 |
1000+ | € 0,092 | € 1,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
0.64mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.01 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.04mm
Aukštis
0.35mm
Serija
FemtoFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas