Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.2mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,068
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,082
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,068
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,082
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.2mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V