Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
800 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.18 nC @ 5 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,217
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,263
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,217
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,263
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
800 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.18 nC @ 5 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm