Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
9.15mm
Matmenys
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Plotis
4.6mm
Produkto aprašymas
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1

P.O.A.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
9.15mm
Matmenys
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Plotis
4.6mm
Produkto aprašymas
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.