Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.15mm
Ilgis
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 141,08
€ 4,702 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 170,71
€ 5,69 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

€ 141,08
€ 4,702 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 170,71
€ 5,69 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 60 | € 4,702 | € 141,08 |
90 - 210 | € 4,085 | € 122,55 |
240 - 480 | € 3,942 | € 118,28 |
510 - 960 | € 3,705 | € 111,15 |
990+ | € 3,325 | € 99,75 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.15mm
Ilgis
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Produkto aprašymas