Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 4,00
€ 2,00 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 4,84
€ 2,42 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 4,00
€ 2,00 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 4,84
€ 2,42 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
2

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
| kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
|---|---|---|
| 2 - 2 | € 2,00 | € 4,00 |
| 4+ | € 1,90 | € 3,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas


