Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Channel Type
N
Transistor Material
Si
Kaiščių skaičius
3
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Plotis
4.6mm
Maximum Power Dissipation
35 W
Pakuotės tipas
TO-220FP
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Ilgis
10.4mm
Aukštis
9.3mm
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Markė
STMicroelectronicsTypical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,992
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,62
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 2,992
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,62
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,992 | € 14,96 |
10 - 95 | € 2,565 | € 12,82 |
100 - 495 | € 1,995 | € 9,98 |
500 - 995 | € 1,662 | € 8,31 |
1000+ | € 1,425 | € 7,12 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Channel Type
N
Transistor Material
Si
Kaiščių skaičius
3
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Plotis
4.6mm
Maximum Power Dissipation
35 W
Pakuotės tipas
TO-220FP
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Ilgis
10.4mm
Aukštis
9.3mm
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Markė
STMicroelectronicsTypical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V