Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
0.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,752
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,54
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 3,752
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,54
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,752 | € 18,76 |
25 - 45 | € 3,515 | € 17,58 |
50 - 120 | € 3,325 | € 16,62 |
125 - 245 | € 3,135 | € 15,68 |
250+ | € 2,992 | € 14,96 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
0.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China