Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
PowerFLAT 5 x 6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Plotis
6.35mm
Transistor Material
Si
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 14,96
€ 2,992 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 18,10
€ 3,62 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
5

€ 14,96
€ 2,992 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 18,10
€ 3,62 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
STripFET H7
Pakuotės tipas
PowerFLAT 5 x 6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Plotis
6.35mm
Transistor Material
Si
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.