Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
15.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
4.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 47,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 56,87
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

€ 47,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 56,87
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
15.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
4.8mm
Produkto aprašymas