Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1 724,25
€ 0,69 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2 086,34
€ 0,835 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 1 724,25
€ 0,69 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 2 086,34
€ 0,835 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Serija
STripFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas