Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
M250
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
108 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-0.5 V, +15 V
Plotis
6.09mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
9.91mm
Aukštis
3.94mm
Typical Power Gain
17.7 dB
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 159,60
Each (In a Tray of 25) (be PVM)
€ 193,116
Each (In a Tray of 25) (su PVM)
25
€ 159,60
Each (In a Tray of 25) (be PVM)
€ 193,116
Each (In a Tray of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
M250
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
108 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-0.5 V, +15 V
Plotis
6.09mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
9.91mm
Aukštis
3.94mm
Typical Power Gain
17.7 dB
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.