Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
TSMT-8
Serija
RQ1A070AP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
0 to -8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Plotis
2.5mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.8mm
Kilmės šalis
Japan
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,35
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,423
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,35
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,423
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
TSMT-8
Serija
RQ1A070AP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
0 to -8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Plotis
2.5mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.8mm
Kilmės šalis
Japan