Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Renesas ElectronicsTransistor Type
NPN + PNP
Maximum DC Collector Current
65 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
12 V
Maximum Emitter Base Voltage
5.5 V
Maximum Operating Frequency
8000 MHz
Kaiščių skaičius
16
Number of Elements per Chip
5
Matmenys
1.5 x 10 x 4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas
Transistor Arrays, Intersil
Bipolar Transistors, Intersil
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,93
Each (In a Tube of 48) (be PVM)
€ 8,385
Each (In a Tube of 48) (su PVM)
48
€ 6,93
Each (In a Tube of 48) (be PVM)
€ 8,385
Each (In a Tube of 48) (su PVM)
48
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Renesas ElectronicsTransistor Type
NPN + PNP
Maximum DC Collector Current
65 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
12 V
Maximum Emitter Base Voltage
5.5 V
Maximum Operating Frequency
8000 MHz
Kaiščių skaičius
16
Number of Elements per Chip
5
Matmenys
1.5 x 10 x 4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas